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STW56N65M2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW56N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark69AH2891
Gama de produtosMDmesh M2
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|---|---|
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW56N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark69AH2891
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source On State Resistance0.049ohm
On Resistance Rds(on)0.049ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation358W
Power Dissipation Pd358W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
358W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
49A
On Resistance Rds(on)
0.049ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
358W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto