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STW36N60M6
MOSFET, N-CH, 600V, 30A, 150DEG C, 208W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW36N60M6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark94AC2385
Gama de produtosMDmesh M6
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 18 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.640 |
| 10+ | $ 7.600 |
| 25+ | $ 6.560 |
| 50+ | $ 5.520 |
| 100+ | $ 5.140 |
| 250+ | $ 4.830 |
| 500+ | $ 4.730 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 8.64
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW36N60M6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark94AC2385
Gama de produtosMDmesh M6
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STW36N60M6
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto