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STW23N80K5
MOSFET, N-CH, 800V, 16A, 150DEG C, 190W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW23N80K5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark69AH2887
Gama de produtosMDmesh K5
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 18 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.010 |
| 10+ | $ 7.030 |
| 25+ | $ 6.050 |
| 50+ | $ 5.070 |
| 100+ | $ 4.720 |
| 250+ | $ 4.420 |
| 500+ | $ 4.330 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 8.01
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW23N80K5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark69AH2887
Gama de produtosMDmesh K5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd190W
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
190W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto