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STW15NK50Z
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 7 A, 0.3 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW15NK50ZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark33R1317
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.420 |
| 10+ | $ 3.560 |
| 120+ | $ 2.840 |
| 510+ | $ 2.810 |
| 1020+ | $ 2.750 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW15NK50ZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark33R1317
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage30V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation Pd160W
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- N-channel, 500V, 14A Zener-Protected SuperMESH(TM) power MOSFET
- Extremely high dv/dt capability
- Gate charge minimized
- 100% avalanche tested
- Very good manufacturing repeatability
- Very low intrinsic capacitances
- Used for switching application
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
30V
Power Dissipation Pd
160W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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