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STS4DNF60L
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, SOIC, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTS4DNF60LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo87X9682
Rodo à Medida26M3734RL
Segmento de fita26M3734
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.090 | $ 2.09 |
| Total Preço | $ 2.09 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.090 |
| 50+ | $ 1.690 |
| 100+ | $ 1.300 |
| 250+ | $ 1.290 |
| 500+ | $ 1.090 |
| 1000+ | $ 0.946 |
| 2500+ | $ 0.751 |
| 5000+ | $ 0.708 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.745 |
| 5000+ | $ 0.671 |
| 10000+ | $ 0.609 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTS4DNF60LCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rolo completo87X9682
Rodo à Medida26M3734RL
Segmento de fita26M3734
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id4A
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- STripFET™ power MOSFET suitable for switching applications
- Single feature size strip-based process
- Standard outline for easy automated surface mount assembly
- Low threshold drive
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para STS4DNF60L
1 produto encontrado
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto