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STP45N60DM6
MOSFET, N-CH, 600V, 30A, 150DEG C, 210W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP45N60DM6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark94AC2368
Gama de produtosMDmesh DM6
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.750 |
| 10+ | $ 5.110 |
| 25+ | $ 5.030 |
| 50+ | $ 4.940 |
| 100+ | $ 4.860 |
| 250+ | $ 4.810 |
| 500+ | $ 4.750 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 5.75
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP45N60DM6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark94AC2368
Gama de produtosMDmesh DM6
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd210W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
210W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh DM6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STP45N60DM6
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto