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STP36N55M5
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 33 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP36N55M5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark45AC7719
Gama de produtosMDmesh V
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.750 |
| 10+ | $ 5.880 |
| 25+ | $ 4.210 |
| 50+ | $ 4.150 |
| 100+ | $ 4.090 |
| 250+ | $ 4.040 |
| 500+ | $ 3.920 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.75
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP36N55M5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante38 semanas
Código Newark45AC7719
Gama de produtosMDmesh V
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd190W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
550V
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
190W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidade do produto