Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP20NM60FDCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark26M3681
Seu número de peça
12,729 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.280 |
| 10+ | $ 4.720 |
| 25+ | $ 4.610 |
| 50+ | $ 4.490 |
| 100+ | $ 4.310 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 7.28
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP20NM60FDCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark26M3681
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.29ohm
Drain Source On State Resistance0.29ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd192W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation192W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STP20NM60FD is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The FDmesh™ associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
192W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.29ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
192W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para STP20NM60FD
2 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
