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STP150N10F7AG
MOSFET, AECQ101, N-CH, 100V, 110A, TO220
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP150N10F7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark25AK1329
Gama de produtosSTripFET F7 Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.440 |
| 10+ | $ 2.830 |
| 25+ | $ 2.640 |
| 50+ | $ 2.450 |
| 100+ | $ 2.260 |
| 250+ | $ 2.080 |
| 500+ | $ 1.900 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.44
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP150N10F7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark25AK1329
Gama de produtosSTripFET F7 Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Drain Source On State Resistance3600µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
3600µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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