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STP150N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP150N10F7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark45AC7696
Gama de produtosSTripFET F7
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.730 |
| 10+ | $ 2.150 |
| 100+ | $ 1.970 |
| 500+ | $ 1.700 |
| 1000+ | $ 1.550 |
| 2500+ | $ 1.520 |
| 5000+ | $ 1.490 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.73
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP150N10F7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark45AC7696
Gama de produtosSTripFET F7
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd250W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
Aplicações
Medical
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
250W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STP150N10F7
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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