Imprimir página
STP14NM50N
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP14NM50NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark43T6306
Seu número de peça
337 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.310 |
| 10+ | $ 2.710 |
| 100+ | $ 2.140 |
| 500+ | $ 1.930 |
| 1000+ | $ 1.680 |
| 2500+ | $ 1.330 |
| 5000+ | $ 1.250 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.31
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP14NM50NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark43T6306
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.28ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd90W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STP14NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. The device associates a vertical structure with strip layout yield to lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.
- 100% Avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.28ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
90W
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (3)
Alternativas para STP14NM50N
1 produto encontrado
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto