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STP13N80K5
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP13N80K5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark45AC7692
Gama de produtosMDmesh K5
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.320 |
| 10+ | $ 3.090 |
| 25+ | $ 2.830 |
| 50+ | $ 2.560 |
| 100+ | $ 2.390 |
| 250+ | $ 2.240 |
| 500+ | $ 2.090 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTP13N80K5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark45AC7692
Gama de produtosMDmesh K5
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.37ohm
Drain Source On State Resistance0.37ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd190W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.37ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.37ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
190W
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto