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STO65N60DM6
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-LL, Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTO65N60DM6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ5721RL
Segmento de fita57AJ5721
Gama de produtosMDmesh DM6
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.690 | $ 4.69 |
| Total Preço | $ 4.69 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.690 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTO65N60DM6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AJ5721RL
Segmento de fita57AJ5721
Gama de produtosMDmesh DM6
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source On State Resistance0.067ohm
On Resistance Rds(on)0.067ohm
Transistor Case StyleTO-LL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd320W
Power Dissipation320W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Case Style
TO-LL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
320W
No. of Pins
8Pins
Product Range
MDmesh DM6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
46A
On Resistance Rds(on)
0.067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
320W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto