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STN1HNK60
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTN1HNK60Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo07X1951
Rodo à Medida33R1234
Segmento de fita33R1234
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.984 | $ 4.92 |
| Total Preço | $ 4.92 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.984 |
| 10+ | $ 0.784 |
| 25+ | $ 0.675 |
| 50+ | $ 0.585 |
| 100+ | $ 0.487 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.355 |
| 8000+ | $ 0.319 |
| 16000+ | $ 0.290 |
| 24000+ | $ 0.264 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTN1HNK60Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo07X1951
Rodo à Medida33R1234
Segmento de fita33R1234
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance8.5ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3.3W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
Aplicações
Power Management, Lighting
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.3W
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8.5ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para STN1HNK60
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto