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STN1HNK60
MOSFET, N CH, 600V, 400MA, SOT223
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTN1HNK60Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo07X1951
Segmento de fita33R1234
Seu número de peça
8,808 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rolo completo | 5 | $ 0.355 | $ 0.00 |
| Total Preço | $ 1.78 | ||
Segmento de fita
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.984 |
| 10+ | $ 0.784 |
| 25+ | $ 0.675 |
| 50+ | $ 0.585 |
| 100+ | $ 0.487 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.355 |
| 8000+ | $ 0.319 |
| 16000+ | $ 0.290 |
| 24000+ | $ 0.264 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTN1HNK60Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo07X1951
Segmento de fita33R1234
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance8.5ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto