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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTL3N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark26AH0191
Gama de produtosMDmesh M2
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.570 |
| 10+ | $ 0.986 |
| 25+ | $ 0.876 |
| 50+ | $ 0.764 |
| 100+ | $ 0.654 |
| 250+ | $ 0.583 |
| 500+ | $ 0.512 |
| 1000+ | $ 0.479 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.57
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTL3N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark26AH0191
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id2.3A
On Resistance Rds(on)1.6ohm
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation22W
Power Dissipation Pd22W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
1.6ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
22W
No. of Pins
8Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
22W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
