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STHU32N65DM6AG
MOSFET
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTHU32N65DM6AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AK8153RL
Segmento de fita29AK8153
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.540 | $ 5.54 |
| Total Preço | $ 5.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.540 |
| 10+ | $ 5.200 |
| 25+ | $ 4.970 |
| 50+ | $ 4.690 |
| 100+ | $ 4.450 |
| 250+ | $ 4.220 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTHU32N65DM6AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AK8153RL
Segmento de fita29AK8153
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source On State Resistance0.097ohm
Transistor Case StyleHU3PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.75V
Power Dissipation320W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
37A
Transistor Case Style
HU3PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
320W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.75V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto