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STH3N150-2
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH3N150-2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98Y2479
Segmento de fita98Y2479
Gama de produtosPowerMESH
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 7.400 | $ 7.40 |
| Total Preço | $ 7.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.400 |
| 10+ | $ 5.280 |
| 25+ | $ 4.880 |
| 50+ | $ 4.470 |
| 100+ | $ 4.070 |
| 250+ | $ 3.960 |
| 500+ | $ 3.840 |
| 1000+ | $ 3.390 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH3N150-2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98Y2479
Segmento de fita98Y2479
Gama de produtosPowerMESH
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance9ohm
On Resistance Rds(on)6ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd140W
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerMESH
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 1500V, 2.5A N-channel PowerMESH™ power MOSFET in 3 pin H2PAK-2 package
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Designed using company’s consolidated strip layout-based MESHOVERLAY™ process
- Suitable for switching applications
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
140W
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerMESH
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto