Imprimir página
STH275N8F7-2AG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 80V, 180A, 315W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH275N8F7-2AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida69AH2746RL
Segmento de fita69AH2746
Gama de produtosSTripFET F7
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.960 | $ 6.96 |
| Total Preço | $ 6.96 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.960 |
| 10+ | $ 4.680 |
| 25+ | $ 4.240 |
| 50+ | $ 3.810 |
| 100+ | $ 3.380 |
| 250+ | $ 3.270 |
| 500+ | $ 3.150 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH275N8F7-2AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida69AH2746RL
Segmento de fita69AH2746
Gama de produtosSTripFET F7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance1700µohm
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd315W
Power Dissipation315W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
315W
No. of Pins
2Pins
Product Range
STripFET F7
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto