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STH270N8F7-2
MOSFET, N-CH, 80V, 180A, 175DEG C, 315W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH270N8F7-2
Código Newark26AH0177
Gama de produtosSTripFET F7
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 24 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.280 |
| 10+ | $ 4.500 |
| 25+ | $ 4.160 |
| 50+ | $ 3.830 |
| 100+ | $ 3.610 |
| 250+ | $ 3.440 |
| 500+ | $ 3.390 |
| 1000+ | $ 3.250 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.28
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH270N8F7-2
Código Newark26AH0177
Gama de produtosSTripFET F7
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation315W
Power Dissipation Pd315W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
315W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos