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STH200N10WF7-2
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH200N10WF7-2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark96AJ0284
Gama de produtosSTripFET F7 Series
Seu número de peça
321 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.190 |
| 10+ | $ 4.240 |
| 25+ | $ 4.000 |
| 50+ | $ 3.750 |
| 100+ | $ 3.500 |
| 250+ | $ 3.230 |
| 500+ | $ 3.120 |
| 1000+ | $ 3.030 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.19
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH200N10WF7-2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark96AJ0284
Gama de produtosSTripFET F7 Series
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0032ohm
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StyleH2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd340W
Power Dissipation340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0032ohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
340W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto