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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH180N10F3-2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark94T3412
Gama de produtosStripFET F3
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 18 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.180 |
| 10+ | $ 4.310 |
| 25+ | $ 3.910 |
| 50+ | $ 3.510 |
| 100+ | $ 3.260 |
| 250+ | $ 3.130 |
| 500+ | $ 2.990 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.18
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH180N10F3-2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark94T3412
Gama de produtosStripFET F3
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance3900µohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd315W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation315W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStripFET F3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
StripFET F3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
315W
Power Dissipation
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para STH180N10F3-2
1 produto encontrado
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
