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STH10N80K5-2AG
MOSFET, N-CH, 800V, 8A, H2PAK-2
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH10N80K5-2AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91AH9107RL
Segmento de fita91AH9107
Gama de produtosMDmesh K5
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.670 | $ 5.67 |
| Total Preço | $ 5.67 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.670 |
| 50+ | $ 3.290 |
| 100+ | $ 3.050 |
| 250+ | $ 2.910 |
| 500+ | $ 2.760 |
| 1000+ | $ 2.700 |
| 2500+ | $ 2.650 |
| 5000+ | $ 2.590 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTH10N80K5-2AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91AH9107RL
Segmento de fita91AH9107
Gama de produtosMDmesh K5
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.6ohm
Drain Source On State Resistance0.6ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation121W
Power Dissipation Pd121W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.6ohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
121W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
121W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto