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STFW69N65M5
MOSFET, N-CH, 650V, 58A, 150DEG C, 79W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTFW69N65M5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark69AH2709
Gama de produtosMDmesh V
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.000 |
| 10+ | $ 9.650 |
| 25+ | $ 9.460 |
| 60+ | $ 9.250 |
| 120+ | $ 9.050 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 15.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTFW69N65M5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark69AH2709
Gama de produtosMDmesh V
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance0.037ohm
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
Power Dissipation Pd79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
79W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto