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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF5NK100ZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark33R1209
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.520 |
| 10+ | $ 2.890 |
| 100+ | $ 2.710 |
| 500+ | $ 2.570 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF5NK100ZCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark33R1209
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id1.75A
Drain Source On State Resistance2.7ohm
On Resistance Rds(on)2.7ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage30V
Power Dissipation Pd30W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
2.7ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
30V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.75A
On Resistance Rds(on)
2.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
30W
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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