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STF28N65M2
MOSFET, N-CH, 650V, 20A, 150DEG C, 30W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF28N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark26AH0167
Gama de produtosMDmesh M2
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.360 |
| 10+ | $ 2.470 |
| 25+ | $ 2.410 |
| 50+ | $ 2.350 |
| 100+ | $ 2.290 |
| 250+ | $ 2.130 |
| 500+ | $ 1.970 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.36
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF28N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark26AH0167
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30W
Power Dissipation Pd30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para STF28N65M2
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto