Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF25N60M2-EPCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark45AC7569
Gama de produtosMDmesh M2
Seu número de peça
721 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.860 |
| 10+ | $ 2.340 |
| 25+ | $ 2.280 |
| 50+ | $ 2.230 |
| 100+ | $ 2.170 |
| 250+ | $ 2.020 |
| 500+ | $ 1.860 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.86
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTF25N60M2-EPCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark45AC7569
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
On Resistance Rds(on)0.175ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd30W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
STF25N60M2-EP is a N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very high-frequency converters. Typical applications switching applications and tailored for very high frequency converters (f <gt/> 150KHz).
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- Very low turn-off switching losses
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 600V drain-source breakdown voltage at VGS = 0V, ID = 1mA
- 0.188ohm static drain-source on-resistance max
- 18A drain current (continuous) at TC = 25°C
- TO-220FP package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
30W
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STF25N60M2-EP
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
