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STD7ANM60N
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 600V, 5A, 45W
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD7ANM60NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AH0153RL
Segmento de fita26AH0153
Gama de produtosMDmesh II
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 18 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.550 | $ 2.55 |
| Total Preço | $ 2.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.550 |
| 50+ | $ 1.370 |
| 100+ | $ 1.250 |
| 250+ | $ 1.150 |
| 500+ | $ 1.050 |
| 1000+ | $ 0.986 |
| 2500+ | $ 0.966 |
| 5000+ | $ 0.947 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD7ANM60NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AH0153RL
Segmento de fita26AH0153
Gama de produtosMDmesh II
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation45W
Power Dissipation Pd45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD7ANM60N
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto