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STD6N80K5
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.5 A, 0.0013 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD6N80K5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark45AC7542
Gama de produtosMDmesh K5
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 16 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.960 |
| 10+ | $ 2.020 |
| 100+ | $ 1.490 |
| 500+ | $ 1.250 |
| 1000+ | $ 1.180 |
| 2500+ | $ 1.090 |
| 5000+ | $ 1.020 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.96
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD6N80K5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark45AC7542
Gama de produtosMDmesh K5
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Drain Source On State Resistance0.0013ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd85W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
85W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source On State Resistance
0.0013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto