Imprimir página
STD5NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD5NM60T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo82AC0125
Rodo à Medida26M3528RL
Segmento de fita26M3528
Seu número de peça
882 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.980 | $ 2.98 |
| Total Preço | $ 2.98 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.980 |
| 10+ | $ 1.980 |
| 25+ | $ 1.800 |
| 50+ | $ 1.620 |
| 100+ | $ 1.440 |
| 250+ | $ 1.330 |
| 500+ | $ 1.180 |
| 1000+ | $ 1.100 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.220 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD5NM60T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo82AC0125
Rodo à Medida26M3528RL
Segmento de fita26M3528
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance1ohm
On Resistance Rds(on)1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd96W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation96W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STD5NM60T4 is an N-channel MDmesh™ Power MOSFET has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The MDmesh™ is a new revolutionary power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
96W
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD5NM60T4
3 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto