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STD5N60DM2
MOSFET, N-CH, 600V, 3.5A, 150DEG C, 45W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD5N60DM2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark26AH0151
Gama de produtosMDmesh DM2
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.370 |
| 10+ | $ 0.860 |
| 25+ | $ 0.763 |
| 50+ | $ 0.665 |
| 100+ | $ 0.569 |
| 250+ | $ 0.514 |
| 500+ | $ 0.459 |
| 1000+ | $ 0.418 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.37
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD5N60DM2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark26AH0151
Gama de produtosMDmesh DM2
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.5A
On Resistance Rds(on)1.38ohm
Drain Source On State Resistance1.38ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation45W
Power Dissipation Pd45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
1.38ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh DM2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto