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STD3NK80Z-1
MOSFET, N CH, 800V, 2.5A, IPAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD3NK80Z-1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark33R1154
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.770 |
| 10+ | $ 1.190 |
| 150+ | $ 1.130 |
| 525+ | $ 1.010 |
| 1050+ | $ 0.875 |
| 2550+ | $ 0.716 |
| 10050+ | $ 0.680 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.77
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD3NK80Z-1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark33R1154
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)3.8ohm
Drain Source On State Resistance3.8ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd70W
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
3.8ohm
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
3.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
70W
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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