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STD30N6LF6AG
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 24 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD30N6LF6AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark45AC7539
Gama de produtosSTripFET F6
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.510 |
| 10+ | $ 1.010 |
| 100+ | $ 0.722 |
| 500+ | $ 0.598 |
| 1000+ | $ 0.571 |
| 2500+ | $ 0.548 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD30N6LF6AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark45AC7539
Gama de produtosSTripFET F6
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd40W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
40W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD30N6LF6AG
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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