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STD1NK60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD1NK60T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6455
Rodo à Medida33R1142RL
Segmento de fita33R1142
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.710 | $ 8.55 |
| Total Preço | $ 8.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.710 |
| 10+ | $ 1.100 |
| 15+ | $ 1.030 |
| 25+ | $ 0.960 |
| 50+ | $ 0.890 |
| 125+ | $ 0.758 |
| 250+ | $ 0.684 |
| 500+ | $ 0.609 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.564 |
| 7500+ | $ 0.513 |
| 12500+ | $ 0.503 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD1NK60T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6455
Rodo à Medida33R1142RL
Segmento de fita33R1142
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance8.5ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd30W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STD1NK60T4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- Improved ESD capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
30W
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8.5ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD1NK60T4
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto