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STD13NM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD13NM60NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33X1194RL
Segmento de fita33X1194
Seu número de peça
10,572 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.720 | $ 3.72 |
| Total Preço | $ 3.72 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.720 |
| 10+ | $ 2.600 |
| 25+ | $ 2.370 |
| 50+ | $ 2.130 |
| 100+ | $ 1.900 |
| 250+ | $ 1.800 |
| 500+ | $ 1.630 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD13NM60NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33X1194RL
Segmento de fita33X1194
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.28ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd90W
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 600V, 11A N-channel MDmesh™ II power MOSFET in 3 pin DPAK package
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Suitable for switching applications
- Suitable for the most demanding high efficiency converters
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
90W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para STD13NM60N
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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