Imprimir página
STD12N60DM2AG
MOSFET, 600V, 10A, 150DEG C, 110W, TO252
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD12N60DM2AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida04AJ4706RL
Segmento de fita04AJ4706
Gama de produtosMDmesh
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.430 | $ 3.43 |
| Total Preço | $ 3.43 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.430 |
| 10+ | $ 2.220 |
| 25+ | $ 2.000 |
| 50+ | $ 1.770 |
| 100+ | $ 1.550 |
| 250+ | $ 1.400 |
| 500+ | $ 1.250 |
| 1000+ | $ 1.220 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD12N60DM2AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida04AJ4706RL
Segmento de fita04AJ4706
Gama de produtosMDmesh
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
On Resistance Rds(on)0.38ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
Power Dissipation Pd110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto