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STD11N65M2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD11N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida40Y2594RL
Segmento de fita40Y2594
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.450 | $ 2.45 |
| Total Preço | $ 2.45 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.450 |
| 10+ | $ 1.660 |
| 25+ | $ 1.530 |
| 50+ | $ 1.400 |
| 100+ | $ 1.270 |
| 250+ | $ 1.190 |
| 500+ | $ 1.110 |
| 1000+ | $ 0.965 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD11N65M2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida40Y2594RL
Segmento de fita40Y2594
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
On Resistance Rds(on)0.6ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation85W
Power Dissipation Pd85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 650V, 7A N-channel MDmesh™ M2 power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics
- Suitable for the most demanding high-efficiency converters
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
85W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
On Resistance Rds(on)
0.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para STD11N65M2
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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