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STD110N8F6
MOSFET, N-CH, 80V, 80A, 175DEG C, 167W
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD110N8F6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark26AH0143
Gama de produtosSTripFET F6
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.500 |
| 10+ | $ 1.610 |
| 25+ | $ 1.440 |
| 50+ | $ 1.270 |
| 100+ | $ 1.100 |
| 250+ | $ 0.994 |
| 500+ | $ 0.885 |
| 1000+ | $ 0.826 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.50
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD110N8F6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark26AH0143
Gama de produtosSTripFET F6
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id80A
On Resistance Rds(on)0.0056ohm
Drain Source On State Resistance5600µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd167W
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0056ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
167W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
5600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto