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STD10P6F6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD10P6F6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo38AH9210
Rolo completo86AK6458
Rodo à Medida98Y2467
Segmento de fita98Y2467
Gama de produtosDeepGATE STripFET VI
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.490 | $ 1.49 |
| Total Preço | $ 1.49 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.490 |
| 10+ | $ 0.981 |
| 25+ | $ 0.884 |
| 50+ | $ 0.786 |
| 100+ | $ 0.689 |
| 250+ | $ 0.628 |
| 500+ | $ 0.566 |
| 1000+ | $ 0.524 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 0.494 |
| 5000+ | $ 0.480 |
| 10000+ | $ 0.466 |
| 15000+ | $ 0.458 |
| 25000+ | $ 0.318 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD10P6F6Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo38AH9210
Rolo completo86AK6458
Rodo à Medida98Y2467
Segmento de fita98Y2467
Gama de produtosDeepGATE STripFET VI
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd35W
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 60V, 10A P-channel STripFET™ F6 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Suitable for switching applications
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
35W
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD10P6F6
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto