Imprimir página
STD100N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD100N10F7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98Y2468
Segmento de fita98Y2468
Gama de produtosDeepGATE STripFET VII
Seu número de peça
2,889 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.140 | $ 3.14 |
| Total Preço | $ 3.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.140 |
| 10+ | $ 2.170 |
| 25+ | $ 2.010 |
| 50+ | $ 1.850 |
| 100+ | $ 1.690 |
| 250+ | $ 1.580 |
| 500+ | $ 1.460 |
| 1000+ | $ 1.410 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD100N10F7Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rodo à Medida98Y2468
Segmento de fita98Y2468
Gama de produtosDeepGATE STripFET VII
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0068ohm
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd120W
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VII
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- 100V, 80A N-channel STripFET™ F7 power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- Suitable for switching applications
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0068ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
120W
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VII
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STD100N10F7
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto