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STB7NK80ZT4
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB7NK80ZT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33R1130RL
Segmento de fita33R1130
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.850 | $ 3.85 |
| Total Preço | $ 3.85 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.850 |
| 10+ | $ 2.650 |
| 25+ | $ 2.430 |
| 50+ | $ 2.220 |
| 100+ | $ 2.010 |
| 250+ | $ 1.750 |
| 500+ | $ 1.480 |
| 1000+ | $ 1.380 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB7NK80ZT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante15 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33R1130RL
Segmento de fita33R1130
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STB7NK80ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
