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STB6NK90ZT4
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 5.8 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB6NK90ZT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5789
Rodo à Medida33R1128RL
Segmento de fita33R1128
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.630 | $ 3.63 |
| Total Preço | $ 3.63 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.630 |
| 50+ | $ 2.190 |
| 100+ | $ 2.020 |
| 250+ | $ 1.890 |
| 500+ | $ 1.750 |
| 1000+ | $ 1.710 |
| 2500+ | $ 1.660 |
| 5000+ | $ 1.550 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.850 |
| 3000+ | $ 1.710 |
| 5000+ | $ 1.680 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB6NK90ZT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rolo completo87AK5789
Rodo à Medida33R1128RL
Segmento de fita33R1128
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance2ohm
On Resistance Rds(on)1.56ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd140W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The STB6NK90ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
140W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
On Resistance Rds(on)
1.56ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para STB6NK90ZT4
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto