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STB6NK60ZT4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB6NK60ZT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33R1127RL
Segmento de fita33R1127
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.540 | $ 3.54 |
| Total Preço | $ 3.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.540 |
| 50+ | $ 2.270 |
| 100+ | $ 1.730 |
| 250+ | $ 1.600 |
| 500+ | $ 1.470 |
| 1000+ | $ 1.300 |
| 2500+ | $ 1.290 |
| 5000+ | $ 1.250 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB6NK60ZT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33R1127RL
Segmento de fita33R1127
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance1ohm
On Resistance Rds(on)1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd110W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STB6NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
110W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto