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STB55NF06LT4
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB55NF06LT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6453
Rodo à Medida33R1125RL
Segmento de fita33R1125
Seu número de peça
1,179 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.360 | $ 2.36 |
| Total Preço | $ 2.36 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.360 |
| 10+ | $ 1.600 |
| 25+ | $ 1.450 |
| 50+ | $ 1.310 |
| 100+ | $ 1.170 |
| 250+ | $ 1.080 |
| 500+ | $ 0.993 |
| 1000+ | $ 0.912 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 0.729 |
| 2000+ | $ 0.700 |
| 4000+ | $ 0.672 |
| 6000+ | $ 0.646 |
| 10000+ | $ 0.639 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB55NF06LT4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6453
Rodo à Medida33R1125RL
Segmento de fita33R1125
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd95W
Rds(on) Test Voltage16V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation95W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STB55NF06LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
- -55 to 175°C Operating junction temperature
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
16V
Power Dissipation
95W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
95W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto