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STB45N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB45N65M5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark45AC7527
Gama de produtosMDmesh V
Seu número de peça
974 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 10.680 |
| 50+ | $ 6.610 |
| 100+ | $ 6.220 |
| 250+ | $ 6.210 |
| 500+ | $ 6.200 |
| 1000+ | $ 6.080 |
| 2500+ | $ 5.950 |
| 5000+ | $ 5.830 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 10.68
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB45N65M5Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark45AC7527
Gama de produtosMDmesh V
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.067ohm
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd210W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.067ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
210W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para STB45N65M5
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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