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STB42N60M2-EP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB42N60M2-EPCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark69AH2675
Gama de produtosMDmesh M2
Seu número de peça
891 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 7.300 |
| 10+ | $ 5.500 |
| 25+ | $ 5.110 |
| 50+ | $ 4.710 |
| 100+ | $ 4.320 |
| 250+ | $ 4.150 |
| 500+ | $ 3.990 |
| 1000+ | $ 3.830 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 7.30
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB42N60M2-EPCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark69AH2675
Gama de produtosMDmesh M2
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id34A
On Resistance Rds(on)0.076ohm
Drain Source On State Resistance0.076ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.076ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.076ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto