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STB38N65M5
MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-263
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB38N65M5
Código Newark34AC1981
Gama de produtosMDmesh V
Seu número de peça
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.140 |
| 10+ | $ 5.880 |
| 25+ | $ 5.480 |
| 50+ | $ 5.070 |
| 100+ | $ 4.670 |
| 250+ | $ 4.590 |
| 500+ | $ 4.520 |
| 1000+ | $ 4.440 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 8.14
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB38N65M5
Código Newark34AC1981
Gama de produtosMDmesh V
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.073ohm
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd190W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
190W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos