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STB30NF10T4
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 15 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB30NF10T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33R1116RL
Segmento de fita33R1116
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.220 | $ 2.22 |
| Total Preço | $ 2.22 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.220 |
| 10+ | $ 1.420 |
| 25+ | $ 1.270 |
| 50+ | $ 1.110 |
| 100+ | $ 0.958 |
| 250+ | $ 0.860 |
| 500+ | $ 0.761 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB30NF10T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida33R1116RL
Segmento de fita33R1116
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.038ohm
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd115W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The STB30NF10T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET with low gate charge. The device is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. It has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
115W
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto