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STB12NM50T4
MOSFET, N-CH, 550V, 12A, D2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB12NM50T4Cópia
Código Newark
Rodo à Medida99W9702
Segmento de fita99W9702
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.580 | $ 5.58 |
| Total Preço | $ 5.58 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.580 |
| 10+ | $ 3.670 |
| 25+ | $ 3.340 |
| 50+ | $ 3.000 |
| 100+ | $ 2.670 |
| 250+ | $ 2.630 |
| 500+ | $ 2.580 |
| 1000+ | $ 2.170 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTB12NM50T4Cópia
Código Newark
Rodo à Medida99W9702
Segmento de fita99W9702
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd160W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
160W
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para STB12NM50T4
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto