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SCTWA90N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA90N65G2VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark36AJ4505
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 17 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 30.070 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 30.07
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA90N65G2VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark36AJ4505
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id119A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Transistor Case StyleHiP247LL
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation565W
Power Dissipation Pd565W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation Pd
565W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
119A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Case Style
HiP247LL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
565W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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